Périphérique de mémoire

Utilisez cette fenêtre pour afficher des informations sur un périphérique de mémoire particulier.

Condition La performance normale, d'échec anticipé ou d'échec du connecteur ou du logement pour un module de mémoire.
Nom du périphérique Le texte alphanumérique qui identifie de façon unique chaque logement de mémoire, qu'il soit occupé ou non.
Taille Capacité du logement de mémoire en Mo ou Go.
Type La mémoire vive dynamique synchrone (SDRAM) fonctionne assez rapidement pour se synchroniser à l'horloge de l'UC, éliminant les états d'attente. Le chipset SDRAM a deux blocs de cellules, permettant un accès plus efficace aux données. Pour la mémoire vive dynamique (DRAM) chaque bit de stockage est construit à partir d'un transistor et d'un condensateur, permettant de mettre davantage de bits de mémoire dans la même zone de puce. La DRAM doit cependant être actualisée car la charge du condensateur, qui représente la valeur des bits stockés, se dégrade avec le temps. Pendant une actualisation, le module de mémoire doit lire chaque bit et le réécrire à pleine puissance. 
Vitesse Le débit, en nanosecondes, auquel le module de mémoire peut lire le second caractère et tous les caractères contigus dans un mot de donnée. Le débit standard pour la SDRAM est 10 ns.
Échecs Si la valeur est autre que Aucune, une ou plusieurs des chaînes suivantes s'affiche :
  • Single bit warning error rate exceeded (Le taux d'avertissement monobit est dépassé)
  • Single bit failure error rate exceeded (Le taux d'erreur monobit est dépassé)
  • Multi bit error encountered (A rencontré une erreur multibits)
  • Single bit error login disabled (La journalisation des erreurs monobit est désactivée)
  • DIMM disabled by way of spare memory activation (DIMM désactivé par activation de la mémoire de réserve)

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