Use esta ventana para ver información de un dispositivo de memoria específico.
Estado |
Funcionamiento normal,
de prefalla o de falla del conector o de la ranura de un módulo de memoria. |
Nombre del dispositivo |
El
texto alfanumérico que identifica de manera exclusiva a cada ranura de memoria, ya sea que esté o no ocupada. |
Tamaño |
Capacidad de la ranura de memoria, expresada en MB o GB. |
Tipo |
Los conjuntos de chips de memoria de acceso aleatorio dinámica sincrónica (SDRAM) funcionan suficientemente rápido para sincronizarse con el
reloj de la unidad de procesamiento central, eliminando los estados de espera. El conjunto de chips de SDRAM tiene dos
bloques de celdas, lo que permite un acceso a los datos más eficaz. Cada bit de almacenamiento de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) está
conformado por un sólo transistor y capacitor, lo que permite que más bits de memoria quepan en la misma área de chips. Sin embargo, la DRAM se
tiene que actualizar porque la carga del capacitor, que representa el valor de los bits
almacenados, decae con el tiempo. Durante una actualización, el módulo de memoria debe leer cada bit y volverlo a escribir con toda potencia. |
Velocidad |
La velocidad, en
nanosegundos, a la que el módulo de memoria puede leer el segundo y todos los caracteres contiguos
en una palabra de datos. La velocidad estándar de la SDRAM es 10 ns. |
Fallas |
Si el valor es distinto a "Ninguna", se muestran una o más de las cadenas siguientes:
- Single bit warning error rate exceeded (Se excedió la frecuencia de error de advertencia de un bit)
- Single bit failure error rate exceeded (Se excedió la frecuencia de error de falla de un bit)
- Multi bit error encountered (Se encontró un error de bits múltiples)
- Single bit error login disabled (Inicio de sesión de errores de un bit desactivado)
- DIMM disabled by way of spare memory activation (Módulo DIMM desactivado mediante la activación de la memoria de repuesto)
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