Use esta ventana para ver información de un dispositivo de memoria específico.
Estado | Funcionamiento normal, de prefalla o de falla del conector o de la ranura de un módulo de memoria. |
Nombre del dispositivo | El texto alfanumérico que identifica de manera exclusiva a cada ranura de memoria, ya sea que esté o no ocupada. |
Tamaño | Capacidad de la ranura de memoria, expresada en MB o GB. |
Tipo | Los conjuntos de chips de memoria de acceso aleatorio dinámica sincrónica (SDRAM) funcionan suficientemente rápido para sincronizarse con el reloj de la unidad de procesamiento central, eliminando los estados de espera. El conjunto de chips de SDRAM tiene dos bloques de celdas, lo que permite un acceso a los datos más eficaz. Cada bit de almacenamiento de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) está conformado por un sólo transistor y capacitor, lo que permite que más bits de memoria quepan en la misma área de chips. Sin embargo, la DRAM se tiene que actualizar porque la carga del capacitor, que representa el valor de los bits almacenados, decae con el tiempo. Durante una actualización, el módulo de memoria debe leer cada bit y volverlo a escribir con toda potencia. |
Velocidad | La velocidad, en nanosegundos, a la que el módulo de memoria puede leer el segundo y todos los caracteres contiguos en una palabra de datos. La velocidad estándar de la SDRAM es 10 ns. |
Fallas | Si el valor es distinto a "Ninguna", se muestran una o más de las cadenas siguientes:
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